IXFN260N17T
200
Fig. 7. Input Admittance
300
Fig. 8. Transconductance
180
160
T J = 150oC
275
250
225
T J = - 40oC
140
120
100
80
60
25oC
- 40oC
200
175
150
125
100
25oC
125oC
75
40
20
0
50
25
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 85V
I D = 130A
I G = 10mA
250
200
150
7
6
5
4
100
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
50
1
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
10,000
Coss
100
100μs
1,000
T J = 175oC
100
Crss
10
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_260N17T (9E)03-26-09
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